技術(shù)背景
電解水制氫技術(shù),因其原理簡(jiǎn)單、所得氫氣純度高、生產(chǎn)過(guò)程清潔無(wú)污染、可利用可再生能源棄電等優(yōu)點(diǎn),受到了廣泛的研究與應(yīng)用關(guān)注。催化劑是電解水制氫技術(shù)的關(guān)鍵,其性能直接決定了用電成本與生產(chǎn)效率。
(資料圖片)
鉑等貴金屬和氧化銥、氧化釕等貴金屬氧化物都電解水產(chǎn)氫性能優(yōu)異,但是貴金屬資源稀缺、成本高,無(wú)法廣泛應(yīng)用。將貴金屬催化劑負(fù)載于一定的載體上,開(kāi)發(fā)負(fù)載型催化劑,在兼顧性能的前提下降低貴金屬用量,能夠有效降低催化劑成本。但是,受限于傳統(tǒng)載體材料的微觀結(jié)構(gòu)和導(dǎo)電性等方面的性質(zhì),現(xiàn)有負(fù)載型貴金屬催化劑仍需要較高(質(zhì)量分?jǐn)?shù)10~20%)的貴金屬載量才能保持高催化活性。
技術(shù)方案
提供一種電催化材料及其制備方法和應(yīng)用,該電催化材料的活性組分負(fù)載量較小但仍具有較優(yōu)的催化性能,可有效降低電催化劑成本。
所述電催化 材料包括導(dǎo)電載體和負(fù)載于所述導(dǎo)電載體上的活性組分,所述導(dǎo)電載體具有類(lèi)蜂窩狀的多孔結(jié)構(gòu)。多孔結(jié)構(gòu)中孔道的孔徑為50nm-5μm,平均深度為0.5-20μm,孔壁厚度為0.5-50nm;優(yōu)選地,所述孔道的孔徑為500nm-2μm,平均深度為2-10μm,孔壁厚度為1-25nm;所述孔徑與所述孔壁厚度之比大于10,所述孔道的平均深度與所述孔徑之比為1-10;優(yōu)選地,所述孔徑與所述孔壁厚度之比為20-200,所述孔道的平均深度與所述孔徑之比為2-6。
活性組分的含量為1重量%以下;所述活性組分含有金屬,所述金屬包括貴金屬和/或非貴金屬,所述金屬選自鉑、銥、釕、銠、鈀、鎳、鐵、鈷、鉬、鎢和錳中的一種或幾種。
導(dǎo)電載體的導(dǎo)電率大于300S/m,所述導(dǎo)電載體的表面具有1-3%的缺陷位;優(yōu)選地,所述導(dǎo)電載體包括碳材料、碳化鎢、碳化鉻、碳化鉭、碳化鈦、氮化鈦、硼化鈦、銅、鎳和鐵中的一種或幾種。
電催化材料為顆粒狀,所述電催化材料的一次粒徑為5-500μm,比表面積為400-900m2/g。
制備方法:
S1、采用選自堿金屬化學(xué)法、醇?jí)A溶劑熱法和氧化石墨烯法中的一種或幾種方法制備具有類(lèi)蜂窩狀的多孔結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電載體;
S2、使所述導(dǎo)電載體與含有活性組分的鹽的溶液接觸,將固體取出后進(jìn)行第一干燥和第一焙燒,得到所述電催化材料;
該方法還包括:
S3、在惰性氣氛中,將含有活性金屬離子的離子交換樹(shù)脂在高溫下進(jìn)行第二焙燒,其中,所述活性金屬離子為所述活性組分中金屬的離子。
可選地,所述堿金屬化學(xué)法包括如下步驟:將堿金屬在0.1-1MPa的CO或CO2氣氛中、500-700℃下進(jìn)行第三焙燒0.5-48h;
所述醇?jí)A溶劑熱法包括如下步驟:在耐熱密閉容器內(nèi),使醇與堿在180-220℃下接觸反應(yīng)12-48小時(shí),將得到的反應(yīng)產(chǎn)物在惰性氣氛中、800-1100℃下進(jìn)行第四焙燒0.5-5h;
所述氧化石墨烯法包括如下步驟:使氧化石墨烯在250-1000℃進(jìn)行第五焙燒0.5-12h;或者,在紅外激光照射下,使所述氧化石墨烯進(jìn)行還原反應(yīng)1-30min。
可選地,所述堿金屬包括鋰、鈉、鉀、銣、銫和鎂中的一種或幾種;
所述醇包括甲醇、乙醇、異丙醇和乙二醇中的一種或幾種;
所述堿包括氫氧化鈉、氫氧化鉀、氫氧化鋰和氫氧化鎂中的一種或幾種;
所述惰性氣氛中含有氬氣、氮?dú)夂秃庵械囊环N或幾種。
效果:
WO2023071281A1 凈化氫氣的系統(tǒng)和方法以及用于通過(guò)水電解生產(chǎn)氫氣的系統(tǒng)技術(shù)背景
水電解氫氣中含有微量氧和大量水汽,為了獲得高純度的氫氣,需要對(duì)水電解氫氣進(jìn)行純化處理。
中國(guó)專(zhuān)利CN1920100A公開(kāi)了一種連續(xù)純化水電解氫氣的裝置,該裝置包括3座干燥塔,每座干燥塔內(nèi)均設(shè)有電加熱棒,用于在對(duì)干燥塔內(nèi)的干燥劑進(jìn)行再生時(shí)加熱營(yíng)造高溫環(huán)境;每座干燥塔外均分別連接一個(gè)再生冷卻器,用于對(duì)干燥劑再生過(guò)程中產(chǎn)生的高溫再生尾氣進(jìn)行冷卻。
上述裝置中具有較多的電加熱棒和冷卻器,且沒(méi)有對(duì)高溫再生尾氣的余熱進(jìn)行充分利用,因此存在制造成本較高且能源浪費(fèi)的問(wèn)題。
技術(shù)方案
本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N氫氣純化系統(tǒng),用于對(duì)待純化氫氣進(jìn)行純化形成提純氫氣,所述氫氣純化系統(tǒng)包括:
依次連通的脫氧模塊、干燥模塊和再生循環(huán)模塊,所述干燥模塊包括并聯(lián)連接的第一干燥器、第二干燥器和第三干燥器;所述再生循環(huán)模塊包括具有第一氣體通道和第二氣體通道的第一氣氣換熱器;
所述氫氣純化系統(tǒng)還包括:
第一限氣模塊,用于供所述待純化氫氣依次流經(jīng)所述脫氧模塊和所述第一干燥器形成純化通道,獲得所述提純氫氣;
第二限氣模塊,用于供部分所述提純氫氣依次流經(jīng)第一氣氣換熱器的所 述第一氣體通道、所述第二干燥器、所述第一氣氣換熱器的第二氣體通道和所述第三干燥器,形成再生通道,獲得回收氫氣。
純化氫氣的方法包括:
S01.使所述待純化氫氣進(jìn)入所述脫氧模塊中進(jìn)行脫氧處理,得到脫氧后氫氣;
S02.使所述脫氧后氫氣進(jìn)入所述第一干燥器中進(jìn)行干燥處理,得到所述提純氫氣;
S03.將所述提純氫氣分出一部分作為低溫再生氫氣進(jìn)入所述第一氣氣換熱器的第一氣體通道中進(jìn)行換熱處理,得到高溫再生氫氣;
S04.停止向所述第二干燥器中通入所述脫氧后氫氣,并使所述高溫再生氫氣進(jìn)入所述第二干燥器中,對(duì)所述第二干燥器中的待生分子篩干燥劑進(jìn)行吹干再生,得到高溫再生尾氣;
S05.使所述高溫再生尾氣進(jìn)入所述第一氣氣換熱器的所述第二氣體通道中,與所述第一氣體通道中的所述低溫再生氫氣進(jìn)行換熱處理,得到低溫再生尾氣;
S06.使所述低溫再生尾氣進(jìn)入所述第三干燥器中進(jìn)行干燥處理,得到回收氫氣;
S07.使所述回收氫氣與所述提純氫氣合并。
WO2023082586A1 光電極,水光電解裝置以及水光電解方法技術(shù)背景
光電解水制氫技術(shù)可利用光能降低電解水制氫能耗,可在不消耗額外電能情況下將光能直接轉(zhuǎn)化為氫化學(xué)能。光電解水裝置一般包含一個(gè)或兩個(gè)光電極,光電極承擔(dān)兩個(gè)核心功能:一是吸收太陽(yáng)光產(chǎn)生光生電荷(包括光生電子和空穴);二是利用產(chǎn)生的光生電子和空穴分別催化還原和氧化反應(yīng)的進(jìn)行。因此,光電極通常包含光響應(yīng)組分和反應(yīng)催化組分。光吸收效率(ηabs )、光生載流子的分離傳輸效率(ηcharge )和電催化效率(即法拉第效率,ηF )共同決定了光電極的能量轉(zhuǎn)化效率(solar-to-hydrogen efficiency,ηSTH )(ηSTH =ηabs ×ηcharge ×ηF ),而其中光生載流子的有效利用率是限制當(dāng)前光電極能量轉(zhuǎn)化 效率的關(guān)鍵因素。
現(xiàn)有技術(shù)與研究中,由光伏結(jié)構(gòu)結(jié)合電催化材料構(gòu)成的光電極能量轉(zhuǎn)化效率較高(當(dāng)前最高效率為19%),但是現(xiàn)有該類(lèi)光電極中,光伏結(jié)構(gòu)與催化劑之間由于功函數(shù)失配問(wèn)題導(dǎo)致了一定電荷傳輸勢(shì)壘的形成,造成傳輸電壓損失,使得光電極整體的能量轉(zhuǎn)化效率低于其理論值。
技術(shù)方案
提供一種光電極,所述光電極包括按照層疊方向依次疊置且接觸的催化劑層、調(diào)節(jié)層和電子傳輸層;其中,所述催化劑層含有還原性催化劑
光吸收層1選用典型的GaAs基疊層光伏材料,總輸出電壓為2.8-2.9V,依次包含1500nm的p型漸進(jìn)摻雜的GaInAs過(guò)渡層、3500nm左右的GaInAs層、30nm的GaInAs-GaInP疊層過(guò)渡層、2000nm左右的GaInP層、20nm的AlInP窗口層和10nm的AlInPOx 鈍化層;其中,GaInAs為空穴傳輸端,連接空穴傳輸層4,GaInP為電子傳輸端,連接電子傳輸層;
光吸收層1生長(zhǎng)于350μm的GaAs基底(構(gòu)成空穴傳輸層4)上;
電極5為不透明金屬電極,方法為采用電子束蒸發(fā)法于空穴傳輸層4表面依次沉積70nm Pd、70nm Ti和200nm Au,而后于400℃下、氮?dú)夥諊锌焖凫褵?0s;在金屬沉積前,需先對(duì)GaAs基底背面進(jìn)行去表面氧化層處理,即依次經(jīng)丙酮、異丙醇、10%NH4 OH和去氧水中潤(rùn)洗;
電子傳輸層2包含厚30nm的TiO2 ,通過(guò)原子沉積法合成,該TiO2 獨(dú)立存在時(shí)的表面功函數(shù)(~4.5eV)與AlInP-AlInPOx 層功函數(shù)十分接近,同時(shí)TiO2 能夠?qū)馕諏悠鸬娇垢g和減反射的作用;
調(diào)節(jié)層8的材料選用LiF,厚度為0.6nm,采用真空濺射法沉積于TiO2 層表面,LiF對(duì)TiO2 表面的覆蓋度為98%,即調(diào)節(jié)層8的投影面積占電子傳輸層2的投影面積的98%;
催化劑層3采用Pt-Ru合金納米顆粒,Pt-Ru合金獨(dú)立存在時(shí)的表面功函數(shù)為5.2eV,顆粒粒徑為2-5nm,采用真空快速濺射或化學(xué)沉積法負(fù)載于調(diào)節(jié)層8表面,沉積量密度為60-70mg/m2 ,約等同于0.3nm厚的金屬層;
光電極的使用方法:
將制備的光電極(作為光陰極)通過(guò)銅導(dǎo)線(xiàn)與沉積有RuO2 的Ti片(作為光陽(yáng)極)相連,分別放入電解槽的陰極槽和陽(yáng)極槽中,陰極槽與陽(yáng)極槽之間含一層Nafion隔膜;電解槽除光陰極側(cè)石英玻璃透光外,其余部分為黑色以防止光照對(duì)其他部分的影響 。
WO2023116015A1 制氫裝置和控制制氫裝置電解槽溫度的方法技術(shù)背景
堿性電解水制氫技術(shù)因其制造成本低,結(jié)構(gòu)框架成熟,電堆壽命長(zhǎng)等優(yōu)勢(shì)得到廣泛應(yīng)用。在電解水制氫過(guò)程中,電解槽溫度是一個(gè)非常重要的工藝參數(shù),溫度過(guò)高不僅會(huì)使電解出的氣體所帶走的電解液量增加,同時(shí)也會(huì)加快設(shè)備的腐蝕,降低設(shè)備壽命,而溫度過(guò)低則會(huì)影響電解液的循環(huán)速度,電流大小也不易增大,導(dǎo)致產(chǎn)氣量降低,消耗電能增加。為使電解槽的溫度保持在一定范圍內(nèi)(85℃~90℃),一般需要增加循環(huán)冷卻水進(jìn)行冷卻,通過(guò)控制冷卻水的流量來(lái)實(shí)現(xiàn)電解槽中電解液溫度的保持。
然而,制氫設(shè)備會(huì)存在計(jì)劃性停機(jī)或臨時(shí)停機(jī)等情況,停機(jī)的設(shè)備中,電解槽溫度會(huì)逐漸下降,下次再啟動(dòng)時(shí)必須先進(jìn)行熱機(jī)使得電解槽溫度達(dá)到允許范圍后才能開(kāi)始工作,一般熱機(jī)時(shí)間在20-30分鐘左右,造成電能的增加和時(shí)間的浪費(fèi)。而制氫設(shè)備運(yùn)行中所產(chǎn)生的熱量又被冷卻水帶走,導(dǎo)致熱能的浪費(fèi)。
技術(shù)方案
提供一種制氫設(shè)備和制氫設(shè)備的電解槽溫度控制方法,以解決停機(jī)的制氫設(shè)備中電解槽溫度下降的技術(shù)問(wèn)題。
WO2023029586A1 δ相氮化鎢電極材料及其制備方法及其應(yīng)用技術(shù)背景
過(guò)渡金屬化合物——氮化鎢(WN)是一種經(jīng)濟(jì)實(shí)用的催化材料,表現(xiàn)出類(lèi)似于Pt的表面性質(zhì)、吸附特性和催化活性,可替代傳統(tǒng)貴金屬催化劑用于高效加氫脫硫和加氫脫氮等反應(yīng)。WN主要有立方相(即β相)和六方相(即δ相)兩種晶相。其中,β相WN(β-WN)較為易得但其產(chǎn)氫性能有限;δ相WN(δ-WN)在寬pH范圍(酸性和堿性)電解環(huán)境中具有優(yōu)異的產(chǎn)氫性能,但現(xiàn)有氮化鎢均采用高溫高壓條件制備(如專(zhuān)利US9624604B2與論文Inorg.Chem.2017,56,7,3970–3975中所述),所得氮化鎢多為粉體顆?;虮∧げ牧?。該類(lèi)材料較難直接作為制氫電極材料,需與導(dǎo)電材料進(jìn)一步結(jié)合作為產(chǎn)氫電極材料,但由于催化劑與導(dǎo)電材料結(jié)合力有限,氮化鎢的產(chǎn)氫效率受損且電極材料整體穩(wěn)定性欠佳。
技術(shù)方案
提供一種δ相氮化鎢電極材料及其制備方法和應(yīng)用,本 公開(kāi)的δ相氮化鎢電極材料可以作為酸性或堿性電解液產(chǎn)氫電極或電極材料,催化劑與導(dǎo)電材料結(jié)合緊密,具有優(yōu)良的產(chǎn)氫性能和穩(wěn)定性,本公開(kāi)的δ相氮化鎢電極材料的制備方法工藝條件溫和、耗能較低。
制備方法:
S1、將4.1g的二水鎢酸鈉溶于去離子水中并劇烈攪拌30min,接著將3mol/L的鹽酸逐滴緩慢加入鎢酸鈉溶液,直到pH值為1.2,得到黃色透明的第一溶液;
S2、將3.1g的草酸加入到第一溶液中,得到鎢酸前驅(qū)體;
S3、取40mL的鎢酸前驅(qū)體,加入2g硫酸銨作為封端劑,而后將該溶液轉(zhuǎn)移至提前放置有φ3mm×50mm的表面具有孔縫結(jié)構(gòu)的石墨棒(表面孔縫占 比約為30%,孔縫結(jié)構(gòu)的開(kāi)口尺寸為50-200μm,深度為孔縫寬度的3-10倍)的、以聚四氟乙烯為內(nèi)襯的水熱釜中,在180℃下進(jìn)行水熱反應(yīng)16小時(shí)。水熱釜自然冷卻后,將長(zhǎng)有深藍(lán)色氧化鎢(WO3 )的石墨棒(WO3 /GR)取出,用乙醇和水分別潤(rùn)洗5-7次,置于80℃烘箱中干燥,得到含有氧化鎢的導(dǎo)電基底,導(dǎo)電基底的孔縫結(jié)構(gòu)中生長(zhǎng)有氧化鎢;
S4、將含有氧化鎢的導(dǎo)電基底置于管式爐中,用氮?dú)馊コ軆?nèi)空氣后,通入50mL/min的氨氣,以6℃/min升溫至1000℃并在該溫度下保持120min,冷卻后即可得以三維石墨棒為基底的δ相氮化鎢電極材料,δ相氮化鎢層的厚度為1-5μm。δ相氮化鎢電極材料的XRD譜圖見(jiàn)圖1,掃描電鏡照片見(jiàn)圖2。
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